Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0304U002934, 0104U008999 , Науково-дослідна робота Назва роботи Проведення теоретичних досліджень одержання оптимальних характеристик (рівня легування, товщини та складу активного шару) світловипромінюючих приладів на гетероструктурах InGaN з квантовими точками, отриманих методами газо фазової епітаксії із металоорганічних сполук (МО ГФЕ). Назва етапу роботи Проведення теоретичних досліджень одержання оптимальних характеристик (рівня легування, товщини та складу активного шару) світловипромінюючих приладів на гетероструктурах InGaN з квантовими точками, отриманих методами газо фазової епітаксії із металоорганічних сполук (МО ГФЕ). Керівник роботи Оболонський Валерій Олександрович.А., Дата реєстрації 14-01-2005 Організація виконавець Закрите акціонерне товариство "Науково-виробничий концерн "Наука" Опис етапу В роботі проведений аналіз сучасного стану розробок, досліджень і виробництва матеріалів і приладів сучасних систем відображення інформації на основі напівпровідників AIIIBV. Показано, що це, практично, один з найперспективніших напрямів електронної техніки, що динамічно розвивається. В даній роботі розглянуті основні принципи формування випромінюючих р-п структур на основі з'єднань AIIIBV. Виконаний аналіз впливу параметрів матеріалознавств структур на функціональні характеристики випромінювальних гомо-р-п переходів на основі GaN і показані можливості їх зміни і поліпшення. Показано, що одним із способів поліпшення функціональних характеристик випромінювачів є формування гетеро р-п переходів. Розглянута енергетична діаграма гетеропереходів для систем GaN/InGaN і GaN/AlGaN і сформульовані основні вимоги до гетероструктур. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити