Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0304U002935, 0104U009955 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка методик аналізу якості наноструктур (щільність дислокацій, шероховатість поверхні пластин на рівні 0,4 - 0,8 нм), що використовуються в технологічному циклі створення світловипромінюючих приладів, з використанням атомної силової мікроскопії Назва етапу роботи Розробка методик аналізу якості наноструктур (щільність дислокацій, шероховатість поверхні пластин на рівні 0,4 - 0,8 нм), що використовуються в технологічному циклі створення світловипромінюючих приладів, з використанням атомної силової мікроскопії Керівник роботи Богдан Віктор Іванович, Дата реєстрації 14-01-2005 Організація виконавець Центр трансферу технологій Опис етапу В роботі зроблено огляд сучасних методів дослідження морфологічних особливостей поверхонь наноструктур InGaN/GaN, шарів GaN, вирощених на окислених підкладках кремнію, а також на сапфірі. Розглянуті методичні аспекти оцінки якості наноструктурованих об'єктів, у тому числі тринітридів за допомогою атомно-силової мікроскопії. Приведені конкретні приклади оцінки морфології поверхні шарів GaN вирощених на підкладках Al2O3. Аналіз експериментальних досліджень якості наноструктур тринітридів показав, що найбільш прийнятним та експресним інструментом для вивчення морфологічних особливостей поверхні вирощеної плівки та її якості є мікроскоп атомних сил. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити