Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0304U004156, 0103U004206 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження радіаційних порушень напівпровідникових, композиційних і біологічних матеріалів, опромінених іонами середніх енергій Назва етапу роботи Дослідження радіаційних дефектів у напівпровідниках Керівник роботи Бобков В., Дата реєстрації 25-03-2004 Організація виконавець Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис етапу Об'єкт дослідження - напівпровідники групи AIIIBV: арсенід галію і фосфід галію. Мета роботи - дослідження процесів утворення радіаційних порушень, що виникають в напівпровідниках GaAs і GaP при опроміненні іонами D2+ і He+ середніх енергій як нарізно, так і послідовно у різній черговості. Методи дослідження - термодесорбційна мас-спектрометрія, електронна мікроскопія. Досліджено утворення радіаційних дефектів у арсеніді галію і фосфіді галію, опро-мінених іонами D2+ і He+ середніх енергій. Встановлено, що у зразках накопичуються власні дефекти матриці та імплантовані частинки бомбардуючого пучка (домішкові дефекти). Між ними відбувається взаємодія з утворенням комплексів, які при пострадіаційному нагріванні можуть перетворюватися із звільненням частинок дейтерію (або гелію). Звільнені газові частинки мігрують по об'єму зразка до поверхні, а потім десорбуються у вакуум. Визначено величини коефіцієнтів захоплювання дейтерію і гелію в умовах імплантації іонів як нарізно, так і послідовно у різній черговості. Досліджено вплив попередньої імплантації частинок одного газу на захоплювання іншого при його подальшій імплантації. В арсеніді галію попередня імплантація іонів дейтерію призводить до зменшення коефіцієнту захоплювання гелію у 9 разів, в той час як кількість захопленого дейтерію не змінюється, коли він імплантується послідовно після гелію. У фосфіді галію, навпаки, попередня імплантація гелію викликає зменшення коефіцієнту захоплювання дейтерію в 2 рази, тоді як кількість захопленого гелію не змінюється, коли він імплантується послідовно після передньої імплантації дейтерію. Визначено величини енергій активації термодесорбції частинок дейтерію та гелію з арсеніду галію та фосфіду галію. Електронно-мікроскопічні спостереження топографії поверхні напівпровідників, опромінених іонами дейтерію і гелію як нарізно, так і послідовно у різній черговості, виявили утворення блістерів, які руйнуються під час пострадіаційного нагрівання. Результати дослідження можуть бути використані при створенні нових матеріалівіз заданими властивостями і у конструкційному матеріалознавстві. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити