Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0304U004186, 0103U004203 , Науково-дослідна робота Назва роботи Вплив релаксаційних процесів на функціональні властивості багатокомпонентних кристалічних систем Назва етапу роботи ДОСЛІДЖЕННЯ СТРУКТУРИ ФАЗОВИХ ПРОШАРКІВ ТА ВНУТРІШНІХ НАПРУЖЕНЬ, ЩО ВИНИКАЮТЬ ПРИ ФОРМУВАННІ ДИФУЗІЙНОЇ ЗОНИ ТА ОПРОМІНЮВАННІ В ПРИПОВЕРХНЕВИХ ШАРАХ КРИСТАЛІВ Керівник роботи Мацокін В.П., Дата реєстрації 26-03-2004 Організація виконавець Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис етапу Об'єкти дослідження - багатофазні системи Cu-Ni-5at%Sn і Cu-Ni-5at%In, з обмеженою розчинністю Sn і In у Cu і Ni, складені з гомогенних сплавів Cu-5at%Sn / Ni-5at%Sn і Cu-5at%In /Ni-5at%In, монокристали CaF2, KCl та NaCl. Мета роботи - визначити особливості взаємної дифузії в багатокомпонентних кристалічних структурах з малою добавкою третього компонента; встановити розподіл внутрішніх напружень при "точковому" фазоутворенні та можливі механізми їх релаксації; зареєструвати та встановити розміри поверхневих треків в СаF2; порівняти розміри треків на поверхні СаF2 з розмірами треків тих самих іонів на поверхні LiF; визначити співвідношення поміж параметрами двох паралельних плоских дефектів та параметрами закону дисперсії системи, за яких така система буде сприйматися як квантовий хвильовод станами, що можуть вільно розповсюджуватись перпендикулярно до площини дефектів. Методи дослідження - металографія, оптична та растрова електронна мікроскопія, рентгенівський мікроаналіз, комп'ютерні розрахунки. Проведено експериментальне дослідження взаємної дифузії в дифузійних парах, складених зі сплавів Cu -5at% Sn(In) і Ni-5at% Sn(In). Показано, що при нульовому вихідному значенні градієнта концентрації Sn або In відбувається їхній перерозподіл з утворенням концентраційних піків на Ni-стороні дифузійних зон, що формуються. Виявлена "висхідна" дифузія Sn і In, що обумовлена взаємодією кінетичних і термодинамічних властивостей потрійних систем. Проаналізовано розподіл напружень, що формуються в приповерхневих шарах кристалів при "точковому" фазоутворенні та механізми їх релаксації. Вперше спостережені та досліджені треки, що формуються на поверхні монокристалу СаF2 при опромінюванні важкими багатозарядними іонами. Доводиться, що для формування треків на поверхні туголавких кристалів, енергія, що виділяється іоном, повинна перевищувати енергію випаровування. Розглянуто квантову систему, в якій закон дисперсії елементарних збуджень має дві гілки. Визначено співвідношення поміж параметрами двох паралельних дефектів та параметрами закону дисперсії системи, за яких така система буде сприйматись як квантовий хвильовод станами, що можуть вільно розповсюджуватись перпендикулярно до площини дефектів. Результати роботи можуть бути використані при розробці теорії, технології та експлуатації сучасних багатокомпонентних жаростійких матеріалів, а також при вирішенні задач, пов'язаних з релаксацією єнергії в поверхневих шарах кристалів при опромінюванні їх важкими багатозарядними іонами та пружними хвилями. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити