Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0304U004217, 0103U004241 , Науково-дослідна робота Назва роботи Резонансно-тунельні явища в приладах з міждолинним переносом електронів мм-діапазону Назва етапу роботи Вплив тунелювання та резонансного тунелювання електронів на роботу діодів з МПЕ Керівник роботи Прохоров Е, Дата реєстрації 26-03-2004 Організація виконавець Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис етапу Об'єкт дослідження - квантово - розмірні структури метал - діелектрик - напівпровідник, структури з міждолинним переносом електронів (МПЕ) та широкосмугові GaAs генератори ММ діапазону. Мета роботи - дослідження нових напівпровідникових приладів ММ діапазону на основі напівпровідників А3В5 , у яких поєднання тунелювання та резонансного тунелювання з міждолинним переносом електронів зможе привести до підвищення ефективності генерації та розширення частотних можливостей таких нових напівпровідникових приладів в порівнянні з відомими активними елементами( ЛПД та діоди Ганна), що працюють в мм - діапазоні. Метод дослідження - математичне моделювання фізичних процесів в напівпровідникових структурах з МПЕ та квантово - розмірних структурах на основі складних сполук напівпровідників А3В5 та експериментальне дослідження факторів, що впливають на ширину смуги перестроювання GaAs діодів з МПЕ та генераторів мм -діапазону на їх основі Актуальність досліджень зумовлена необхідністю створення нових напівпровідникових приладів для освоєння короткохвильової частини мм- та субмм-діапазонів.Новизна роботи - фундаментальні дослідження по створенню нових твердотілих активних елементів для генерації НВЧ потужності в мм- та субмм-діапазонах проведені вперше. Результати роботи та рекомендації будуть впроваджені в виробництво нових твердотілих приладів мікро- , нано- електроніки і оптоелектроніки. Прогнозні припущення щодо розвитку об'єкта дослідження - пошук нових твердотілих активних елементів для використання в мм та суб мм діапазонах для генерації та підсилювання електромагнітних коливань. Основні фундаментальні результати: Розроблена математична модель моделювання фізичних процесів в структурах на основі складних сполук напівпровідників А3В5 Al0,2Ga0,8As/GaAs, In0,53Ga0,47As/AlAs, InSb/AlAs/GaSb, AlAs/GaAs, та в структурах, що суміщають МПЕ та квантово- розмірні ефекти( тунелювання, резонансне тунелювання електронів); 1.Розроблена математична модель моделювання фізичних процесів в структурах на основі складних сполук Al0,2Ga0,8As/GaAs, In0,53Ga0,47As/AlAs, InSb/AlAs/GaSb, AlAs/GaAs, що суміщають МПЕ з квантово - розмірними ефектами( тунелювання, резонасне тунелювання електронів). 2. Вивчені особливості сумісної роботи діодів з МПЕ та резонасно- тунельних структур, їх енергетичні та імпедансні характеристики. Визначені частотні діапазони, в яких можлива сумісна робота цих структур та ефективність генерації їх в цих діапазонах. Показана можливість розширення частотного діапазону роботи за рахунок одночасного використання МПЕ та квантово - розмірних ефектів. 3. Експериментально досліджені фактори, що впливають на ширину смуги перестроювання частоти GaAs генераторів мм - діапазону. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити