Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0304U004264, 0101U001839 , Науково-дослідна робота Назва роботи Процеси струмопереносу в елементах систем керування і зв'язку на базі тонкоплівкових структур сполучень А3В5 Назва етапу роботи Виявлення зв'язку між статичними параметрами польових транзисторів з бар'єром Шоткі зі змиканням областей об'ємного заряду бар'єра і переходів на міжшарових межах Керівник роботи Привалов Є.М., Дата реєстрації 27-04-2004 Організація виконавець Інститут технічної механіки НАН та НКА України Опис етапу Обєкт дослідження - тонкоплівкові структури GaAs. Метод дослідження - аналітичний, числовий та експериментальний. Розроблено квазідвовимірні моделі арсенідгалійового польового транзистора на двошаровій структурі плівка-напівізолююча підкладка і на тришаровій структурі плівка-буферний шар-підкладка, що ураховують змикання областей просторового заряду бар'єра Шоткі і переходів на міжшарових межах. Показано, що при значному змиканні зазначених областей порогова напруга утворення підзатворного домену зростає зі зростанням негативної напруги на затворі. Область застосування - виробництво GaAs польових транзисторів з бар'єром Шоткі. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити