Реєстраційний номер
0305U001155,
0104U009811
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Розробка експериментальної технології та дослідження дії іонного травлення на властивості структур CdHgTe з захисними шарами.
Назва етапу роботи
Розробка експериментальної технології та дослідження дії іонного травлення на властивості структур CdHgTe з захисними шарами.
Керівник роботи
Оболонський В.О.,
Дата реєстрації
21-01-2005
Організація виконавець
Державний науково-дослідний центр "Фонон"
Опис етапу
Було розроблено експериментальну технологію та досліджено дію іонного травлення на властивості структур CdHgTe з захисними шарами. На основі отриманих результатів можна зробити наступні висновки, необхідні для відпрацювання технології виготовлення фотодіодів методом іонного травлення на основі епітаксійних структур CdхHg1-хTe з захисними шарами CdTe: 1.Захисний шар CdTe товщиною порядку 1 мкм виявляє маскуючи властивості до дії іонного травлення на активний шар р-CdхHg1-хTe з метою створення в ньому p-n переходу. 2.Для епітаксійних шарів р-CdхHg1-хTe з захисними шарами CdTe товщиною порядку 0,1 мкм спостерігається p-n конверсія при цьому товщина конвертованого шару є значно меншою, ніж очікувана для однорідного р-CdхHg1-хTe з однаковим складом. 3.Основні властивості конвертованих при ІТ шарів в структурах р-CdхHg1-хTe з тонким захисним шаром CdTe є аналогічними, як і для однорідного матеріалу. В результаті ІТ формується типова n+- n - р+ структура з порушеним n+-шаром і основним конвертованим n-шаром. 4.Концентрація електронів в порушеному та основному конвертованому шарі релаксує при зберіганні при кімнатній температурі за законами, що відповідають однорідному матеріалу, отриманому різними технологіями.
Опис продукції
Автори роботи
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-03
