Реєстраційний номер
0305U001257,
0104U000893
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Дослідження процесів деградації напівпровідникових твердих розчинів CdxZn1-xTe
Назва етапу роботи
Вирощування нелегованих і легованих кристалів CdxZn1-xTe методом сублімації
Керівник роботи
Пелещак Р.М.,
Дата реєстрації
31-01-2005
Організація виконавець
Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка
Опис етапу
Напівпровідники CdTe, а також CdxZn1-xTe вже знайшли своє використання в електронній техніці. Тому важливим є технологія отримання цих матеріалів з мінімально можливою концентрацією власних дефектів. Метою роботи - дослідження впливу температури термообробки на структуру дефектів в CdxZn1-xTe, дослідження можливості пасивації дрібних дефектів воднем. Методи дослідження - дослідження електрофізичних властивостей в температурному інтервалі 77 - 300 К, статистичний аналіз електричних характеристик вирощених кристалів. Основні результати - удосконалення методики вирощування CdxZn1-xTe, отримання енергетичної картини дефектів. За спектрами фотолюмінісценції найменш дефектними виявились кристали CdхZn1-хTe, вирощені із шихти, синтезованої у водні Фізика напівпровідників.
Опис продукції
Автори роботи
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-03
