Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0305U003236, 0103U004241 , Науково-дослідна робота Назва роботи Резонансно-тунельні явища в приладах з міждолинним переносом електронів мм-діапазону Назва етапу роботи Вплив тунельних та лавинних ефектів на роботу діодів з МПЕ мм-діапазону Керівник роботи Прохоров Е, Дата реєстрації 02-03-2005 Організація виконавець Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис етапу Об'єкт дослідження - квантово-розмірні структури на основі гетеропереходів, структури з міждолинним переносом електронів ( МПЕ ) та широкосмугові GaAs-генератори мм-діапазону. Мета роботи - дослідження нових напівпровідникових приладів мм-діапазону на основі напівпровідників А3В5, у яких поєднання тунелювання та резонансного тунелювання з міждолинним переносом електронів зможе привести до підвищення ефективності генерації та розширення частотних можливостей таких нових напівпровідникових приладів в порівнянні з відомими активними елементами( ЛПД та діоди Ганна ), що працюють в мм-діапазоні. Метод дослідження - математичне моделювання фізичних процесів в напівпровідникових структурах з МПЕ та квантоворозмірних структурах на основі складних сполук напівпровідників А3В5 та експериментальне дослідження можливості сумісної роботи послідовно ввімкнених діодів в генераторах мм-діапазону. Актуальність досліджень зумовлена необхідністю створення нових напівпровідникових приладів для освоєння короткохвильової частини мм- та субмм-діапазонів. Новизна роботи - фундаментальні дослідження по створенню нових твердотілих активних елементів для генерації НВЧ-потужності в мм- та субмм-діапазонах проведені вперше. Результати роботи та рекомендації будуть впроваджені в виробництво нових твердотілих приладів мікро- , нано- та оптоелектроніки. Прогнозні припущення щодо розвитку об'єкта дослідження - пошук нових твердотілих активних елементів для використання в мм- та субмм-діапазонах для генерації та підсилювання електромагнітних коливань. Основні фундаментальні результати: 1. Показана можливість використання резонансно-тунельних катодів та структур на основі сполук Al0,2Ga0,8As/GaAs, AlAs/GaAs, що суміщають МПЕ та квантово-розмірні ефекти ( тунелювання, резонансне тунелювання електронів ). 2. Розроблена двовимірна чисельна модель розрахунку електронних процесів в діодах Ганна, що враховує генерацію нерівноважних носіїв заряду за рахунок ударної іонізації та їх рекомбінацію, яка дозволяє пояснити існуючі експериментальні результати, котрі не мали пояснення раніше. 3. Експериментально реалізовано і досліджено широкосмуговий генератор мм-діапазону, що працює на послідовно ввімкнених GaAs-діодах Ганна. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити