Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0305U003298, 0103U004240 , Науково-дослідна робота Назва роботи Міждолинний перенос електронів в варизонних приладах мм-діапазону на основі сполук напівпровідникі А3В5 Назва етапу роботи Енергетичні та частотні характеристики діодів Ганна з n+ - n- катодом на основі варизонних напівпровідників сполук А3В5 Керівник роботи Aркуша Ю, Дата реєстрації 09-03-2005 Організація виконавець Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис етапу Об'єкт дослідження - діоди Ганна на основі варизонних напівпровідників А3В5. Мета роботи - дослідження нових напівпровідникових приладів мм-діапазону на основі напівпровідників А3В5, склад яких плавно змінюється з координатою, тобто на основі варизонного напівпровідника. Метод дослідження - дослідження нових напівпровідникових приладів мм-діапазону на основі напівпровідників А3В5, склад яких плавно змінюється з координатою, тобто на основі варизонного напівпровідника. Основні результати та їх новизна : 1. Виявлено, що виникнення дипольних доменів в діодах Ганна на основі варизонних напівпровідникових сполук з омічним катодом пов'язано з залежністю від координати параметрів напівпровідників при якому частота релаксації концентрації електронів в Г-долині - є функцією координати, що зменшується. 2. Отримані енергетичні і частотні характеристики діодів на основі варизонних InPxAs1-x, AlxGa1-xAs або InxGa1-xAs з омічним n+-n-катодом. По максимальних значеннях ефективності та вихідної потужності отримані характеристики приблизно вдвічі перевищують однотипні характеристики діодів на основі однорідних напівпровідникових сполук. 3. Визначена критична частота генерації діодів на основі варизонних InPxAs1-x, AlxGa1-xAs або InxGa1-xAs з омічним n+-n-катодом, відповідно ~160 ГГц, ~155 ГГц та ~180 ГГц. 4. В наступних варизонних потрійних напівпровідникових сполуках слід очікувати виникнення дипольних доменів в діодах з омічним n+-n-катодом: Ga0.65P0.35As - GaAs; GaAs0.45Sb0.55 - GaAs; Al0.20Ga0.80As - GaAs; GaAs-In0.4Ga0.6As In0.48Ga0.52P-InP; In0.07Ga0.93Sb - In0.70Ga0.30Sb; InP0,75Sb0,25 -InP; InP - InP0,75Sb0,25 Основні конструктивні, технологічні й техніко-експлуаційні характеристики та показники: § Найкращі показники ефективності і вихідної потужності мають діоди з наступними складами сполук: n+:GaAs-n:Inx(z)Ga1-x(z)As-n+:In0.4Ga0.6As, n+:Al0.20Ga0.80As-n:Alx(z)Ga1-x(z)As-n+:GaAs, n+:InP-n:InPx(z)As1-x(z)-n+:InP0.4As0.4 діоди. § Пікові значення потоку вихідної потужності n+:GaAs-n:Inx(z)Ga1-x(z)As-n+:In0.4Ga0.6As діодів при довжинах активної області 0.8, 1.5, 2.5, 5 мкм відповідно складає 2.15, 6.5, 4.8, 8 кВт/см2 з ефективностями 1.2, 9, 12, 15.8% на частотах 130, 58, 37, 21 ГГц Ступінь впровадження По матеріалах фундаментальних досліджень НДР опубліковано 3 статі у наукових журналах та зроблено 3 доповіді на міжнародних конференціях. Рекомендації щодо використання результатів роботи В НДР разом з фундаментальними результатами по теорії МПЕ в неоднорідних складних напівпровідникових структурах знайдені оптимальні склади варизонних напівпровідників InP1-x(z)Asx(z), Inx(z)Ga1-x(z)As, Alx(z)Ga1-x(z)As та пропоновані інші перспективні варизонні напівпровідники для приладів мм-діапазону, що працюють на ефекту міждолинного переносу електронів А3В5. Це дає можливість безпосередньо використовувати результати НДР для технологічної розробки нових приладів, які працюють на ефекті МПЕ в см- та мм- діапазонах довжин хвиль. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити