Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0305U003328, 0101U001839 , Науково-дослідна робота Назва роботи Процеси струмопереносу в елементах систем керування і зв'язку на базі тонкоплівкових структур сполучень А3В5 Назва етапу роботи Дослідження впливу характеру розподілу глибоких центрів по пластині на процеси струмопереносу в структурах сполук А3В5 Керівник роботи Привалов Є.М., Дата реєстрації 17-03-2005 Організація виконавець Інститут технічної механіки НАН та НКА України Опис етапу Обєкт дослідження - тонкоплівкові структури GaAs. Метод дослідження - аналітичний, числовий та експериментальний. Показано, що в тришарових структурах GaAs про розкид параметрів польових транзисторів, викликаний неоднорідним розподілом глибоких центрів по пластині, можна судити за ефективною концентрацією незаповнених глибоких центрів на межі плівка-буферний шар. Розроблено метод прогнозування напруги відсічки польових транзисторів за виміряною фотоємністю, що використовує особливості фотоємності тонкоплівкових структур GaAs. Область застосування - виробництво GaAs польових транзисторів з бар'єром Шоткі. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити