Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0307U001167, 0106U000361 , Науково-дослідна робота Назва роботи Зарядові та розмірні ефекти в наноструктурах і кластерах Назва етапу роботи Моделювання одноелектронного транзистора на металевій кластерній структурі Керівник роботи Погосов Валентин Вальтерович, Дата реєстрації 29-01-2007 Організація виконавець Запорізький національний технічний університет Опис етапу Об'єкт дослідження - металеві кластери і низькорозмірні структури. Мета - розвинення теорії одноелектронного тунелювання в системі двох послідовно з'єднаних тунельних переходів, розділених кластерами різної форми шляхом врахування дискретності електронного спектра кластера, введення обмеження на кулонівську нестійкість острівцевого електроду. Показано, що в низькрозмірних системах температурна залежність хімічного потенціалу залежить від систематики енергетичних рівнів, а температурний градієнт цієї залежності може змінювати знак. Модифіковано теорію одноелектронного тунелювання крізь металеві квантові точки: в теорію введено контактну різницю потенціалів, розраховано знак і величину дробового залишкового заряду, введено обмеження на кулонівську нестійкість острівцевого електроду. За оригінальною обчислювальною схемою проведено розрахунок вольт-амперних характеристик тунельних структур на квантових точках. Розрахунки виконано з використанням реалістичного (нееквідистантного) спектра, завдяки чому залежність струмової щілини (область відсутності струму на вольт-амперній характеристиці) від розміру кластера виявляє немонотонний характер. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити