Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0307U001630, 0106U001566 , Науково-дослідна робота Назва роботи Резонансно-тунельні та лавинні явища в приладах з міждолинним переносом електронів мм-діапазону на основі напівпровідників А3В5 ( GaAs, GaN, InN, AlN) Назва етапу роботи Вплив тунельних та лавинних ефектів на роботу РТД та діодів з МПЕ мм-діапазону Керівник роботи Прохоров Едуард Дмитрович, Дата реєстрації 17-04-2007 Організація виконавець Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис етапу Об'єкт дослідження - квантово-розмірні структури на основі гетеропереходів, структури з міждолинним переносом електронів ( МПЕ ) та широкосмугові GaAs-генератори мм-діапазону. Мета роботи - Дослідження резонансного тунелювання в резонансно - тунельних діодах на основі напівпровідників A3B5(GaAs,GaN,InN,AlN та ін); резонансно- тунельних та лавинних ефектів в напівпровідниках A3B5(GaAs,GaN,InN,AlN) для створення нових напівпровідникових приладів, у яких зазначені вище ефекти зможуть привести до підвиження еффективності генерації, розширення частотних можливостей генераторів на основі РТД, приладів з МПЕ та підвищення рівня шумів генераторів шуму в порівнянні з відомими активними елементами (діоди Ганна та ЛПД), що працюють в мм - діапазоні. Метод дослідження - математичне моделювання фізичних процесів в напівпровідникових структурах з МПЕ та квантоворозмірних структурах на основі складних сполук напівпровідників А3В5 та експериментальне дослідження широкосмугового GaAs генератора з електронним перестроюванням частоти. Актуальність досліджень зумовлена необхідністю створення нових напівпровідникових приладів для освоєння короткохвильової частини мм- та субмм-діапазонів. Новизна роботи - фундаментальні дослідження по створенню нових твердотілих активних елементів для генерації НВЧ-потужності в мм- та субмм-діапазонах проведені вперше. Результати роботи та рекомендації будуть впроваджені в виробництво нових твердотілих приладів мікро- , нано- та оптоелектроніки. Прогнозні припущення щодо розвитку об'єкта дослідження - пошук нових твердотілих активних елементів для використання в мм- та субмм-діапазонах для генерації та підсилювання електромагнітних коливань. Основні фундаментальні результати: 1. Розроблена математична модель діода з МПЕ з туннельними контактами з врахуванням просторового заряду в приконтактних областях та досліджений вплив електрофізичних параметрів діода з резонансно -туннельним контактом на частотний діапазон та ефективність генерації. 2. Досліджений вплив ударної іонізації та формиконтактів на ширину вольтамперних характеристик діодів Ганна, в тому числі на основі нітридів (GaN,InN,AlN, AlGaN, InGaN). 3. Експериментально розроблений широкосмуговий GaAs генератор з електронним перестроюванням частоти на діапазон 60 …70 ГГц з вихідною потужністю на другій гармоніці 10 мВт. Електронне перестроювання склало 9 ГГц. Ключові слова: квантово-розмірна структура, резонансно-тунельний катод, діод Ганна, частотний діапазон, генератор, ударна іонізація Умови одержання звіту: за договором. 61077, Україна, м. Харків, майдан Свободи, 4, Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити