Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0307U003161, 0106U001392 , Науково-дослідна робота Назва роботи Вплив просторового заряду на мiжшарових межах на струмоперенiс в планарних структурах на основi арсенiду галiю для елементiв систем керування та зв'язку Назва етапу роботи Дослiдження бар'єрної ємностi гетероструктур AlxGa1-xAs/GaAs з урахуванням вбудованого просторового заряду на гетеромежi Керівник роботи Привалов Є.М., Дата реєстрації 30-01-2007 Організація виконавець Iнститут технічної механіки НАН України і НКА України Опис етапу Обєкт дослiдження - .гетероструктури AlxGa1-xAs/GaAs. Метод дослiдження - аналiтичний, числовий та експериментальний. Показано, що для гетероструктур AlxGa1-xAs/GaAs з глибокими центрами низькочастотна вольт-фарадна характеристика має зростаючу дiлянку при локалiзацiї глибоких центрiв на гетеромежi, яка зумовлена початком спустошення цих центрiв, а на стокозатворнiй характеристицi з'являється стрибок униз безпосередньо пiсля прикладання iмпульсу позитивної напруги до затвора, за яким можна визначити енергiю активацiї глибоких центрiв. Область застосування - виробництво польових транзисторiв з високою рухливiстю електронiв. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Вплив просторового заряду на мiжшарових межах на струмоперенiс в планарних структурах на основi арсенiду галiю для елементiв систем керування та зв'язку
Керівник: Привалов Є.М.. Вплив просторового заряду на мiжшарових межах на струмоперенiс в планарних структурах на основi арсенiду галiю для елементiв систем керування та зв'язку. (Етап: Дослiдження бар'єрної ємностi гетероструктур AlxGa1-xAs/GaAs з урахуванням вбудованого просторового заряду на гетеромежi). Iнститут технічної механіки НАН України і НКА України. № 0307U003161
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-15


Роздрукувати цю сторінку