Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0308U001151, 0106U001392 , Науково-дослідна робота Назва роботи Вплив просторового заряду на міжшарових межах на струмопереніс в планарних структурах на основі арсеніду галію для елементів систем керування та зв'язку Назва етапу роботи Дослідження бар'єрної ємності іонно-імплантованих тонкоплівкових структур GaAs з урахуванням наявності області вбудованого просторового заряду у місці різкого падіння густини легуючої домішки Керівник роботи Привалов Є.М., Дата реєстрації 24-01-2008 Організація виконавець Інститут технічної механіки НАН України і НКА України Опис етапу Об'єкт дослідження - .іонно-імплантовані структури GaAs. Метод дослідження - аналітичний, числовий та експериментальний. Розроблено модель для розрахунку бар'єрної ємності іонно-імплантованих структур GaAs з глибокими центрами, яка не потребує загальновживаного наближення повного збіднення. Показано, що низькочастотна вольт-фарадна характеристика іонно-імплантованих структур GaAs має ділянку зростання, зумовлену наявністю глибоких центрів, яка, на відміну від епітаксіальних структур, зникає зі зростанням концентрації цих центрів. Область застосування - виробництво польових транзисторів на іонно-імплантованих структурах GaAs. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Вплив просторового заряду на міжшарових межах на струмопереніс в планарних структурах на основі арсеніду галію для елементів систем керування та зв'язку
Керівник: Привалов Є.М.. Вплив просторового заряду на міжшарових межах на струмопереніс в планарних структурах на основі арсеніду галію для елементів систем керування та зв'язку. (Етап: Дослідження бар'єрної ємності іонно-імплантованих тонкоплівкових структур GaAs з урахуванням наявності області вбудованого просторового заряду у місці різкого падіння густини легуючої домішки). Інститут технічної механіки НАН України і НКА України. № 0308U001151
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-20


Роздрукувати цю сторінку