Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0308U001541, 0106U001566 , Науково-дослідна робота Назва роботи Резонансно-тунельні та лавинні явища в приладах з міждолинним переносом електронів мм-діапазону на основі напівпровідників А3В5 ( GaAs, GaN, InN, AlN) Назва етапу роботи Енергетичні та частотні характеристики діодів з резонансно-тунельними та лавинними ефектами Керівник роботи Прохоров Едуард Дмитрович, Дата реєстрації 08-02-2008 Організація виконавець Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис етапу Об'єкт дослідження - квантово-розмірні структури на основі нітридів (GaN,InN,AlN), структури з міждолинним переносом електронів (МПЕ) та шумові GaAs-діоди см- та мм-діапазонів. Мета роботи - дослідження резонансного тунелювання в резонансно-тунельних діодах на основі нітридів (GaN,InN,AlN), резонансно-тунельних та лавинних ефектів в напівпровідниках A3B5 (GaAs,GaN,InN,AlN) для створення нових напівпровідникових приладів, у яких зазначені вище ефекти можуть привести до підвиження еффективності генерації, розширення частотних можливостей генераторів на основі РТД, приладів з МПЕ та підвищення рівня шумів генераторів шуму в порівнянні з відомими активними елементами (діоди Ганна та ЛПД), що працюють в мм-діапазоні. Метод дослідження - математичне моделювання фізичних процесів в напівпровідникових структурах з МПЕ та квантоворозмірних структурах на основі нітридів та експериментальне дослідження шумових діодів на основі GaAs з тонким шаром напівізолятора в прикатодній області. Актуальність досліджень зумовлена необхідністю створення нових напівпровідникових приладів для освоєння короткохвильової частини мм- та субмм-діапазонів. Новизна роботи - фундаментальні дослідження по створенню нових твердотілих активних елементів для генерації НВЧ-потужності в мм- та субмм-діапазонах на основі нітридів проведені вперше. Результати роботи та рекомендації будуть впроваджені в виробництво нових твердотілих приладів мікро- , нано- та оптоелектроніки. Прогнозні припущення щодо розвитку об'єкта дослідження - пошук нових твердотілих активних елементів для використання в мм- та субмм-діапазонах для генерації та підсилення електромагнітних коливань. Основні фундаментальні результати: 1. Проведені дослідження резонансно-тунельних діодів (РТД) на основі нітридів AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN. Показано, що досліджені РТД мають 3-5 енергетичних рівнів у квантовій ямі і таку ж кількість ділянок з негативною диференціальною провідністю (НДП). Ефективності генерації на кожній ділянці з НДП складають 10…30%, а частотні можливості вищезазначених РТД досягають 1 ТГц. 2. Досліджено вплив ударної іонізації та форми напруги на ОНОЗ-діоді з МПЕ на генерацію на гармоніках і генерацію гармонік та помноження частоти. Показано, що ударна іонізація звужує робочий діапазон напруг на ОНОЗ-діоді. Дія складної форми напругі на ОНОЗ-діоді дозволяє підвищити коефіцієнт корисної дії (ККД) на 15..20% на основній гармоніці в режимі роботи на основній частоті, підвищити ККД на гармоніках до 5…10% в режимі генерації гармонік 3. Розроблена, експериментально реалізована та досліджена конструкція шумового діода на основі GaAs з тонким шаром напівізолятора в прикатодній області. Розроблена оригінальна технологія виготовлення шумових диодів. Спектральна густина потужності шумів шумових діодів складає 104…105 кТ0. Ключові слова: квантово-розмірна структура, резонансно-тунельний діод, діод Ганна, частотний діапазон, генератор, ударна іонізація, шумовий діод. Умови одержання звіту: за договором. Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна, майдан Свободи, 4,м. Харків, 61077, Україна. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити