Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0308U001668, 0106U003144 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка теоретичних основ радіаційного моніторингу на базі радіаційно модифікованих матеріалів і структур Назва етапу роботи Експериментальні дослідження впливу іонізуючого опромінення на властивості матеріалів і формування структур в різних умовах та математичне моделювання процесів взаємодії потоків прискорених частинок з різними матеріалами і структурами Керівник роботи Пеліхатий Микола Михайлович, Дата реєстрації 15-02-2008 Організація виконавець Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис етапу Об'єкт дослідження: процеси радіаційного дефектоутворення і зміни механіко-електричних властивостей матеріалів і структур при їх взаємодії з потоками прискорених частинок в різних умовах, а також процеси радіаційного моніторингу. Мета дослідження: отримання нових даних про механізми радіаційного дефектоутворення і зміни механіко-електричних властивостей матеріалів і структур при їх взаємодії з високоенергетичними частинками; виявлення залежностей характеру цих змін від параметрів іонізуючого опромінення; отримання нових даних щодо дії іонізуючого випромінювання на мікроелектронні структури; отримання нових даних щодо релаксаційних властивостей структурно впорядкованих металевих матеріалів; розробка математичних моделей процесів радіаційного дефектоутворення з точки зору їх використання в системах радіаційного моніторинга. Методи дослідження і апаратура: прискорювачі заряджених частинок, опромінення альфа-, гама-променями, електронографія, мікроскопія (оптична, растрова), механічна спектроскопія, методивимірювання і контролю електрофізичних властивостей матеріалів, методи гармонічного аналізу, методи системного аналізу, методи фізичного і математичного моделювання. В результаті виконання даної НДР було отримано такі основні результати: - проведено порівняльні дослідження впливу - та - опромінення на релаксійний спектр силіцію; виявлено, що на відміну від опромінення -частинками, яке викликає появу трьох максимумів на амплітудній залежності внутрішнього тертя, - опромінення викликає один максимум; запропоновано методику виявлення виду опромінення по амплітудній залежності внутрішнього тертя; - встановлено, що попереднє опромінювання g-променями інтерметаліду Fe3Al, загартованого від 1273 К з області розупорядкованого a-твердого розчину алюмінію в залізі, починаючи з доз порядку (1-2)Ч105 Грей провокує появу двох додаткових карбон-вакансійних піків внутрішнього тертя (ВТ) на його температурній залежності вище відомого піка Снука, повязаного з карбоном; - проведено дослідження процесів, які мають місце приопроміненні пасивних елементів інтегральніх схем, що виготовляються на основі тонких шарів металів, напівпровідників і діелектриків; виявлено перерозподіл між гармонічними складовими сигналу, що розповсюджується у речовині, яку піддали впливу нейтронного чи - опромінення; - встановлено, що величина амплітуди третьої гармоніки визначається дозою опромінення і амплітудою сигналу та характеризує зміну форми сигналу на резисторах інтегральних схем; на амплітуду вищих гармонік визначально впливає концентрація кластерів дефектів і точкових дефектів у напівпровідниках і металах; - запропоновано методику використання методу третьої та інших вищих гармонік для вимірювання флюенсу нейтронів і доз - випромінювання; використання датчиків контролю доз у вигляді резистивних елементів показує, що омічний опір резисторів при дозі нейтронів 5Ч1014 см-2 змінюється на 1,5 - 9%, в той час, коли третя гармоніка збільшується до 600 %; - показано, що одночасне використання металевих плівок і напівпровідникових шарів як резисторів, обкладинок конденсаторів і провідників монтажу спрощує технологію виготовлення інтегральних схем; - встановлено, що роботи по моделюванню складних дефектів і вимірюванню електричних характеристик металевих, напівпровідникових зразків, а також електронно-діркових переходів дають можливість застосування гармонічного аналізу для вивчення і інтерпретації фізичної природи дефектів, процесів дефектоутворення в металах, напівпровідниках і виробах твердотільної електроніки при впливі потоків високоенергетичних частинок; Отримані результати є новими і створюють об'єктивну основу для успішного виконання наступних етапів звітної НДР: подальших експериментальних і теоретичних досліджень процесів радіаційного дефектоутворення. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити