Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0308U003084, 0107U000693 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження фізичних явищ у напівпровідникових сполуках під впливом джерел короткохвильового випромінювання ультрафіолетового діапазону і його детектуванні Назва етапу роботи Дослідження механізмів дії слабкого і потужного випромінювання короткохвильового діапазону в напівпровідникових сполуках А2В6, А3В5 Керівник роботи Катрич Віктор Олександрович, Білецький Микола Іванович, Дата реєстрації 29-02-2008 Організація виконавець Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис етапу Мета роботи - визначити клас і основні параметри напівпровідникових сполук, на основі яких можна створити детектори УФ випромінювання, їх властивості і робочий діапазон під дією випромінювання; Мета дослідження - фізичні і електричні характеристики матеріалів, які б мінімізували втрати випромінювання, що падає на діод, і забезпечували максимальне поглинання випромінювання в активній області діодної структури і гетероструктур в залежності від типу металевого контакту (Ni, Pt, Cu, Pd) і бар'єру на ньому. Проведені дослідження властивостей і основних параметрів напівпровідникових сполук, які можуть бути більш перспективними у порівнянні з кремнієм, який широко використовується для детектування оптичного випромінювання. Перспективними матеріалами для створення детекторів ультрафіолетового випромінювання (особливо короткохвильового діапазону) визначені напівпровідникові сполуки типу А3В5 і А2В6 (ZnSe, ZnSSe, CdZnTe, CdS, SiC, GaN, GaP), а також аморфні і органічні напівпровідникові матеріали і полімерні плівки. Показано, що для створення УФ детекторів на діапазон 0.24-0.35 нм перспективними є сполуки ZnSe, GaN, CdZnTe. Ці сполуки мають перспективу перед кремнієм за шириною забороненної зони, більшим атомним числом і чутливістю до випромінювання. Показана і доведена важливість проведення технологічних операцій по підготовці поверхні напівпровідникових матеріалів перед нанесенням металевих контактів (механічної і особливо хімічної обробки) для отримання приладів з необхідною величиною опору і струму. Результати роботи та рекомендації будуть впроваджені в виробництво нових твердотілих приладів мікро-, нано- та опто-електроніки ультрафіолетового діапазону. НАПІВПРОВІДНИКОВІ ДЖЕРЕЛА КОРОТКОХВИЛЬОВОГО УЛЬТРАФІОЛЕТОВОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ; ПРИЛАДИ ДЕТЕКТУВАННЯ; МЕХАНІЗМ ПРОТІКАННЯ СТРУМУ; МЕТАЛЕВИЙ КОНТАКТ; ДІОДИ ШОТТКИ: ГЕТЕРОСТРУКТУРИ; НАПІВПРОВІДНИКИ А2В6 . Умови одержання звіту: за договором 61077, харків-77, майдан Свободи, 4. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити