Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0308U007687, 0108U011074 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження та розробка технології виготовлення діодів Ганна 3 міліметрового діапазону з підвищеними енергетичними характеристиками, на основі фосфіду індія Назва етапу роботи Дослідження та розробка технології виготовлення діодів Ганна 3 міліметрового діапазону з підвищеними енергетичними характеристиками, на основі фосфіду індія Керівник роботи Кудрик Ярослав Ярославович, Дата реєстрації 25-12-2008 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Досліджені імпульсні ВАХ фосфідіндієвих діодів Ганна з інжектуючими гарячі носії Au-TiBx-AuGe-n-n+-InP та зі звичайними омічними контактами на основі евтектичного сплаву Au:Ge=88:12, при тривалості імпульсу 100 нс. Показано, що для омічних контактів з інжекцією зі збільшенням висоти бар'єру Шотткі від 0,1 до 0,2 еВ для різних діодів, виготовлених на основі одного матеріалу зі сталим добутком Ln (L -концентрація, n - товщина базової області), але в різних технологічних умовах, величина порогової напруги Uпор діодів Ганна зростає, тоді як для діодів зі звичайними омічними контактами Uпор менше. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити