Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0308U009122, 0108U001097 , Науково-дослідна робота Назва роботи Технологічні аспекти створення "штучних" підкладок для епітаксії приладових структур на основі GaAs Назва етапу роботи Розробка моделей визначення умов стійкості підкладки до розчину-розплаву, теоретичні та експериментальні дослідження механізмів релаксації пружних напружень у ГС систем Si-Ge, Si-Ge-GaAs та шляхи керування ними. Вдосконалення методик низькоінерційного керування ростом при гетероепітаксії. Керівник роботи Шутов Станіслав Вікторович, Дата реєстрації 10-12-2008 Організація виконавець Херсонський національний технічний університет Опис етапу Виконано аналіз міжфазової рівноваги у багатокомпонентній системі та умов стійкості при застосуванні термодинамічних рівнянь когерентної фазової діаграми з використанням регулярного наближення для розчину-розплаву, а також теорії збурень. Моделювання розподілу механічних напружень у системі проводилося за стандартними рівняннями теорії пружності з урахуванням як напружень у гетероепітаксійному шарі (суцільному або острівцевому), так і у підкладці. Для оцінки впливу пружних напружень на морфологію епітаксійного шару було застосоване наближення гармонійних поверхневих мод збурень. Вдосконалено методику малоінерційного керування температурою на фронті кристалізації за допомогою охолодження тильної сторони підкладки потоком газу, що подається ззовні реактора та керування процесом росту при застосуванні рідиннофазної електроепітаксії. Розроблено технологічну оснастку, виконано перевірку розрахункових алгоритмів на гетероструктурах InAs/GaSb.Si/Ge, Si/Ge/GaAs. Окремі результати експериментальних досліджень та розробок захищено Патентами України. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити