Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0308U009202, 0107U008180 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження та розробка технології виготовлення діодів Ганна 3 міліметрового діапазону з підвищеними енергетичними характеристиками, на основі фосфіду індія Назва етапу роботи Дослідження та розробка технології виготовлення діодів Ганна 3 міліметрового діапазону з підвищеними енергетичними характеристиками, на основі фосфіду індія Керівник роботи Конакова Раїса Василівна, Дата реєстрації 30-12-2008 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Проведено порівняльний аналіз методик вимірювання контактного опору (Rс) омічних контактів напівпровідникових n-n+ структур та масивних зразків, обрана та оптимізована методика для наявного техпроцесу. На прикладі Au-TiBx-AuGe-n-InP тестових структур проведена апробація методики та дослідження взаємозв'язку морфологічних параметрів поверхні дифузійного бар'єру ТіВх з величиною Rс. Мінімальний Rс, який становив 1,2Е-6 Ом•см2, отримано в результаті ШТО при Т=500 °С протягом 40с. До і після ШТО досліджено профілі розподілу компонент в оптимізованих по товщинам шарів металізації і Rс омічних контактах, визначені товщина і склад перехідного шару на межі розділу AuGe-n-InP. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити