Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0309U000199, 0106U001392 , Науково-дослідна робота Назва роботи Вплив просторового заряду на міжшарових межах на струмопереніс в планарних структурах на основі арсеніду галію для елементів систем керування та зв’язку Назва етапу роботи Дослідження особливостей фотоємності класичних і квантових тонко- плівкових структур на основі GaAs Керівник роботи Привалов Є.М., Дата реєстрації 13-02-2009 Організація виконавець Інститут технічної механіки НАН України і НКА України Опис етапу Об’єкт дослідження – класичні і квантові тонкоплівкові структури на основі GaAs. Метод дослідження – аналітичний, числовий та експериментальний. Показано, що для епі- таксіальних і іонно-імплантованих структур GaAs та гетероструктур AlGaAs/GaAs з селекти- вним легуванням залежність високо- і низькочастотної фотоємності від зворотної напруги на бар’єрі Шоткі має вигляд позитивного піку та послідовно розташованих позитивного піку і негативної западини відповідно. З’ясовано, що причиною такої поведінки фотоємності є на- явність глибоких центрів на межі поділу між активним шаром і шаром, суміжним з ним. Об- ласть застосування – виробництво польових транзисторів на основі GaAs. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити