Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0309U003162, 0107U000693 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження фізичних явищ у напівпровідникових сполуках під впливом джерел короткохвильового випромінювання ультрафіолетового діапазону і його детектуванні Назва етапу роботи Визначення впливу контактних матеріалів на енергетичні і спектральні характеристики фотоперетворювачів на основі CuS/n -ZnS/n -ZnSe гетероструктур Керівник роботи Катрич Віктор Олександрович, Білецький Микроа Іванович, Дата реєстрації 24-02-2009 Організація виконавець Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис етапу Об'єкт дослідження - напівпровідникові з'єднання типу А2В6 і фізичні явища в них при опромінюванні ультрафіолетовим випромінюванням і при його детектуванні. Мета роботи - виявлення перспективних напівпровідникових з'єднань типу ZnSe, CdZnTe і інше ля детектування випромінювання від ІЧ до УФ діапазону, розробка і створення фотодетекторів на їх основі, визначення енергетичних і спектральних характеристик. Метод дослідження - теоретичні і експериментальні дослідження фотоперетворювачів на основі діодів Шотки з різними металевими контактами. Основні результати і їх новизна: -вперше проводяться системні дослідження по використанню напівпровідникових з'єднань ZnSe, CdZnTe , як детекторів УФ випромінювання; - відпрацьована технологія нанесення металевих контактів з Pt, Pd, Au, Ni на поверхню напівпровідників ZnSe, CdZnTe і отримані експериментальні зразки фотоперетворювачів; - виміряні вольт амперні характеристики експериментальних зразків без опромінювання і при опромінюванні ультрафіолетом. Показана перспективність використання технології отримання фотоперетворювачів, а також їх використання для детектування випромінювання в діапазоні від видимої області аж до 0.26 мкм. Отримані результати можуть бути використані при розробці нових фотоперетворювачів різного частотного діапазону, включаючи ультрафіолетовий. Технологія травлення і підготовки напівпровідникових пластин для напилення металевих контактів є оригінальною і дозволяє створювати фото діоди на різні спектральні діапазони. Ключові слова: джерела короткохвильового ультрафіолетового випромінювання; напівпровідникові прилади детектування; механізм протікання струму; металевий контакт; діод Шотки; гетеро структури і напівпровідники А2В6. Умови отримання звіту : за договором. 61077, м.Харків, площа Свободи,4, Харківський національний університет імені В.Н,Каразіна. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити