Search academic texts

Information × Registration Number 0309U003887, 0108U003868 , R & D reports Title Development of new complex approach to nanostructural characterization of semiconducting glassy materials for optoelectronics popup.stage_title Розроблення методології наноструктурної характеризації напівпровідникових склоподібних матеріалів оптоелектроніки методом позитронної анігіляції Head Kavetskyy Taras Stepanovych, Кандидат фізико-математичних наук Registration Date 28-12-2009 Organization Drohobych Ivan Franko State Pedagogical University popup.description2 Evolution of nanovoids in the semiconducting glassy materials is illustrated on the basis of the parameters of positron annihilation (or positron annihilation lifetime spectroscopy). The methodology of nanostructural characterization of semiconducting glassy materials by positron annihilation method is developed. Investigation of semiconducting glassy materials by positron annihilation method following the methodology developed is carried out. It is established that the methodology of positron annihilation developed enable us to study nanovoids topology in the glass matrix and to estimate their changes induced by radiation treatment of the material. It is found a good correlation between the volume of nanovoids calculated form the data of positron lifetimes (component tau2) and parameters of the first sharp diffraction peak (position Q1) for the glasses studied. Product Description popup.authors Зайцев Олександр Вадимович Кавецький Орест Степанович Кавецький Тарас Степанович Лабовка Діана Василівна Паньків Ігор Степанович Паньків Людмила Іванівна Федиців Галина Володимирівна Цмоць Володимир Михайлович popup.nrat_date 2020-04-02 Close