Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0309U007214, 0108U000587 , Науково-дослідна робота Назва роботи Формування електронно-діркових переходів у напружених гетеросистемах з самоорганізованими дефектно-деформаційними кластерами Назва етапу роботи Побудова нелінійної моделі напруженої тришарової гетеросистеми галій арсен - індій арсен - галій арсен з самоорганізованими точковими дефектами Керівник роботи Пелещак Роман Михайлович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 13-04-2009 Організація виконавець Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка Опис етапу У межах самоузгодженої деформаційно-дифузійної нелінійної моделі встановлено закономірності просторового перерозподілу концентрації точкових дефектів (вакансій та міжвузлових атомів) і параметра деформації кристалічної ґратки в напружених гетероструктурах GaAs/InxGa1-xAs/GaAs при різних значеннях середньої концентрації точкових дефектів. Досліджено залежність концентрації точкових дефектів у внутрішньому напруженому шарі InxGa1-xAs тришарової гетероструктури GaAs/InxGa1-xAs/GaAs від його товщини при різних значеннях середньої концентрації точкових дефектів. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Формування електронно-діркових переходів у напружених гетеросистемах з самоорганізованими дефектно-деформаційними кластерами
Керівник: Пелещак Роман Михайлович. Формування електронно-діркових переходів у напружених гетеросистемах з самоорганізованими дефектно-деформаційними кластерами. (Етап: Побудова нелінійної моделі напруженої тришарової гетеросистеми галій арсен - індій арсен - галій арсен з самоорганізованими точковими дефектами). Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка. № 0309U007214
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-19


Роздрукувати цю сторінку