Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0310U002147, 0106U001392 , Науково-дослідна робота Назва роботи Вплив просторового заряду на міжшарових межах на струмопереніс в планарних структурах на основі арсеніду галію для елементів систем керування та зв'язку Назва етапу роботи Дослідження ефекту керування по підкладці в планарних структурах GaAs з неоднорідними підкладками Керівник роботи Привалов Євген Миколайович, Дата реєстрації 08-02-2010 Організація виконавець Інститут технічної механіки НАН України і НКА України Опис етапу Об єкт дослідження - тонкоплівкові структури GaAs. Мета дослідження - виявлення особливостей ефекту керування по підкладці в планарних структурах GaAS з неоднорідними підкладками. Метод дослідження - аналітичний, числовий та експериментальний. З'ясовано, що для тонкоплівкових структур GaAs з неоднорідними підкладками ефект керування по підкладці пов'язаний з формуванням статичного домену сильного електричного поля на межі області підвищеного питомого опору і порогова напруга цього ефекту є напругою, при якій область збіднення домену досягає межі плівка-підкладка. Показано, що порогову напругу ефекту керування по підкладці можна підвищити створенням в підкладці області підвищеного питомого опору на достатній відстані від плівки. Зазначені результати отримано вперше. Галузь використання - виробництво польових транзисторів на основі GaAs. Опис продукції Автори роботи Іванов Володимир Володимирович Вінтман Захар Лейбович Горєв Микола Борисович Джевінський Віталій Павлович Доронін Олексій Володимирович Дробахін Олег Олегович Заболотний Петро Іванович Камков Володимир Петрович Коджеспірова Інна Федорівна Козленко Ельвіра Йосипівна Привалов Євген Миколайович Яцуненко Анатолій Григорович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити