Search academic texts

Information × Registration Number 0310U002328, 0108U000587 , R & D reports Title Forming of electron-hole transitions in the strain heterosystems with the selforganized defect-deformation clusters popup.stage_title Дослідження координатної залежності електростатичного потенціалу у тришаровій гетероструктурі галій арсен - індій арсен - галій арсен з самоорганізованими нанокластерами Head Peleshchak Roman Mykhailovych, Доктор фізико-математичних наук Registration Date 05-03-2010 Organization Drohobych Ivan Franko State Pedagogical University popup.description2 By self-consistent method, which takes into account influence of contact phenomena, presence of defect-deformation structures in bulk of material and electron-deformation interaction, the spatial distribution of electrostatic potential and electric intensity in GaAs/InxGa1 xAs/GaAs intense heterostructures with dot defects (interstitial atoms and vacancies) is calculated. The influence of mismatch of parameters of lattices of contacting materials and concentrations of dot defects on profile of electrostatic potential in GaAs/InxGa1 xAs/GaAs intense heterostructures is explored. Product Description popup.authors Даньків Олеся Омелянівна Крипак Анаталій Олексійович Кузик Олег Васильович Мацько Михайло Іванович Німецький Володимир Петрович Пелещак Роман Михайлович Петрицин Оксана Євгенівна popup.nrat_date 2020-04-02 Close