Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0310U002844, 0107U008578 , Науково-дослідна робота Назва роботи Механізм утворення та фотоелектричні властивості епітаксійних гетеросистем з локалізованими станами в квантових точках Ge Назва етапу роботи Механізм утворення та фотоелектричні властивості епітаксійних гетеросистем з локалізованими станами в квантових точках Ge Керівник роботи Козирев Ю.М., Дата реєстрації 14-07-2010 Організація виконавець Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України Опис етапу Мета роботи полягає у дослідженні фотопольової емісії, фотопровідності та фото-ерс у багатошарових квантоворозмірних систем з локалізованими станами, отриманих епітаксійним методом в залежності від морфології структури з урахуванням структурних напружень в гетеропереході SiGe для різного типу матриць. Об'єкт дослідження - гетероструктури з системами вертикально інтегрованих квантових точок Ge на Si, вирощені за допомогою молекулярно-променевої епітаксії. Опис продукції Автори роботи Дмитрук Канєвський В.І. Козирев Ю.М. Рубежанська М.Ю. Скляр В.К. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Механізм утворення та фотоелектричні властивості епітаксійних гетеросистем з локалізованими станами в квантових точках Ge
Керівник: Козирев Ю.М.. Механізм утворення та фотоелектричні властивості епітаксійних гетеросистем з локалізованими станами в квантових точках Ge. (Етап: Механізм утворення та фотоелектричні властивості епітаксійних гетеросистем з локалізованими станами в квантових точках Ge). Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України. № 0310U002844
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-20


Роздрукувати цю сторінку