Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0311U003160, 0110U007029 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення нанотехнологій формування багатошарових контактних систем для діодів Ганна на основі InP терагерцового діапазону Назва етапу роботи Розроблення нанотехнологій формування багатошарових контактних систем для діодів Ганна на основі InP терагерцового діапазону Керівник роботи Іаванов Володимир Миколайович, Дата реєстрації 14-02-2011 Організація виконавець Державне підприємство Науково-дослідний інститут "Оріон" Опис етапу Розроблені фізико - технологічні основи нанотехнологій формування багатошарових контактних систем з антидифузійними бар'єрами, проведені комплексні дослідження багатошарових контактних систем на епітаксіальних структурах n- nб-n типу на основі InP для діодів Ганна терагерцового діапазону. Опис продукції Схеми нанотехнологій формування багатошарових контактних систем з антидифузійними бар'єрами, проведені комплексні дослідження багатошарових контактних систем на епітаксіальних структурах n- nб-n типу на основі InP для діодів Ганна терагерцового діапазону. Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Розроблення нанотехнологій формування багатошарових контактних систем для діодів Ганна на основі InP терагерцового діапазону
Керівник: Іаванов Володимир Миколайович. Розроблення нанотехнологій формування багатошарових контактних систем для діодів Ганна на основі InP терагерцового діапазону. (Етап: Розроблення нанотехнологій формування багатошарових контактних систем для діодів Ганна на основі InP терагерцового діапазону). Державне підприємство Науково-дослідний інститут "Оріон". № 0311U003160
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-04-09


Роздрукувати цю сторінку