Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0311U003162, 0110U006436 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка p-i-n гетеродіодів з нанорозмірним i-шаром Назва етапу роботи Розробка p-i-n гетеродіодів з нанорозмірним i-шаром Керівник роботи Личман Кирило Олексійович, Дата реєстрації 14-02-2011 Організація виконавець Державне підприємство Науково-дослідний інститут "Оріон" Опис етапу Розроблена технологічна схема та виготовлені експериментальні зразки p-i-n гетеродіодів Ge-GaAs з нанорозмірним i-шаром з контактною системою на основі боридів тугоплавких металів (ТіВ2). Опис продукції В ході виконання НДР була розроблена технологічна схема виготовлення p-i-n гетеродіодів p+-i-n-n+ типу Ge-GaAs з нанорозмірним i-шаром з контактною системою на основі боридів тугоплавких металів (ТіВ2). Проведено дослідження основних низькочастотних характеристик макетних зразків p-i-n гетеродіодів при 20±5°С, зокрема прямої і зворотної гілки вольт-амперних характеристик, залежності ємності від зворотної напруги та залежності диференційного опору від прямого струму. Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити