Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0311U003203, 0110U007216 , Науково-дослідна робота Назва роботи Створення інформаційної бази данних то проведення маркетингових досліджень для напівпровідникових структур і приладів на основі плівок Ge та його сполук з Ga As на підкладках із Ga As з метою оптимізації досліджень. Назва етапу роботи Створення інформаційної бази данних та проведення маркетингових досліджень для напівпровідникових структур і приладів на основі плівок Ge та його сполук з Ga As на підкладках із Ga As з метою оптимізації досліджень. Керівник роботи Неміш Іван Юрійович, Дата реєстрації 25-02-2011 Організація виконавець СКТБ з ДВ Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України Опис етапу Проведений пошук наукових публікацій, патентів і винаходів, пов'язаних із дослідженнями по технології нанорозмірних структур із плівок германію та його сполук із кремнієм та арсенідом галію на підкладках із Si та GaAs для виготовлення на їх основі електронних приладів. Були проаналізовані сенсори температури, тиску, деформації, магнітного поля та фотоелектричні перетворювачі і гетеродіоді. Наведені рекомендації для оптимізації наукових досліджень та методів розроблення матеріалів для чутливих елементів сенсорів.Створена інформаційна база даних на електронних носіях. Опис продукції База даних, які стосуються: 1-розробки і досліджень матеріалів на основі нанорозмірних структур із плівок германію та його сполук із кремнієм та арсенідом галію на підкладках із Si та GaAs, перспективних для використання в якості чутливих елементів сенсорів; 2-використання таких матеріалів у існуючих сенсорах фізичних величин; 3-виробників сенсорів; 4-споживачів продукції. Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Неміш Іван Юрійович. Створення інформаційної бази данних то проведення маркетингових досліджень для напівпровідникових структур і приладів на основі плівок Ge та його сполук з Ga As на підкладках із Ga As з метою оптимізації досліджень.. (Етап: Створення інформаційної бази данних та проведення маркетингових досліджень для напівпровідникових структур і приладів на основі плівок Ge та його сполук з Ga As на підкладках із Ga As з метою оптимізації досліджень.). СКТБ з ДВ Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України. № 0311U003203
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-21