Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0311U003686, 0111U004968 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження характеристик мікросенсорів кріогенних температур на основі кремнієвих транзисторних структур для з'ясування можливості стандартизації їх метрологічних характеристик. Назва етапу роботи Дослідження характеристик мікросенсорів кріогенних температур на основі кремнієвих транзисторних структур для з'ясування можливості стандартизації їх метрологічних характеристик. Керівник роботи Неміш Іван Юрійович, Дата реєстрації 24-06-2011 Організація виконавець СКТБ з ДВ Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України Опис етапу Проведені дослідження однорідності характеристик мікросенсорів кріогенних температур на основі кремнієвих транзисторних структур для з'ясування можливості стандартизації їх метрологічних характеристик. Також досліджена температурна залежність падіння напруги на p-n переходах транзисторів залежно від способу їх вмикання у коло (переходи емітер-база (Е -Б), база-колектор (Б-К) та емітер-колектор (Е-К)) та величини струму. Опис продукції Порівнюючи покази вимірювань достатньої кількості мікросенсорів (100 штук) у реперних точках зі стандартною термометричною характеристикою U = f (T), можна з'ясувати можливість стандартизації метрологічних характеристик мікросенсорів і межі похибок вимірювання температури при використанні стандартної характеристики для сенсора. Найбільш широко для перетворення температури у електричний сигнал використовується температурна залежність падіння напруги на p-n-переході, увімкненому у прямому (пропускному) напрямку (приклад такої залежності наведений на графіку). Зазвичай діодні термометри застосовують для вимірювання температури в інтервалі від 1 К до 500 К Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити