Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0311U012058, 0111U008636 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення та дослідження характеристик гетеродіодів Ge/GaAs з нанорозмірним сильно компенсованим Ge шаром Назва етапу роботи Розроблення та дослідження характеристик гетеродіодів Ge/GaAs з нанорозмірним сильно компенсованим Ge шаром. Керівник роботи Личман Кирило Олексійович, Дата реєстрації 21-12-2011 Організація виконавець Державне підприємство Науково-дослідний інститут "Оріон" Опис етапу Розроблена конструкція НВЧ p-i-n гетеродіодів Ge-GaAs з нанорозмірним сильно компенсованим Ge-шаром в метало діелектричному корпусі. Проведено відпрацювання технологічних процесів формування контактів, виготовлення чіпа і монтаж чіпів НВЧ p-i-n гетеродіодів в НВЧ корпуси. Проведено дослідження ВАХ та перехідних процесів перемикання в макетах корпусованих НВЧ p-i-n діодів і узагальнення науково-технічних результатів. Опис продукції В ході виконання НДР була розроблена конструкція НВЧ p-i-n гетеродіодів Ge-GaAs з нанорозмірним сильно компенсованим Ge-шаром в метало діелектричному корпусі. Проведено відпрацювання технологічних процесів формування контактів, виготовлення чіпа і монтажу чіпів НВЧ p-i-n гетеродіодів в НВЧ корпуси. Проведено дослідження ВАХ та перехідних процесів перемикання в макетах корпусованих НВЧ p-i-n діодів і узагальнення науково-технічних результатів. Автори роботи В.І. Миколаєнко В.А. Кривуца В.Г. Ноєнко В.М. Іванов М.С. Болтовець Н.Я. Урицька О.С. Слєпова С.І. Ковтун Т.І. Голинна Т.В. Коростинська Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити