Пошук академічних текстів

Реєстраційний номер

0311U012059, 0111U005780 , Науково-дослідна робота

Назва роботи

Дослідження меза-структур кремнієвих високовольтних НВЧ pіn діодів з захистом SіC в умовах впливу температури та вологості.

Назва етапу роботи

Дослідження меза-структур кремнієвих високовольтних НВЧ pіn діодів з захистом SіC в умовах впливу температури та вологості.

Керівник роботи

М.С. Болтовець,

Дата реєстрації

21-12-2011

Організація виконавець

Державне підприємство Науково-дослідний інститут "Оріон"

Опис етапу

Проведено дослідження параметрыв ВАХ та ВФХ меза-структур кремнієвих високовольтних НВЧ pіn діодів з товщиною і-області 200 мкм з захищеною поверхнею в діапазоні температур 20-200 гр.С. Показано, що пробивна напруга діодів при температурі 20 гр.С та оберненому струмі 20 мА дорівнює 700 В. Зі збільшенням темепатури від 20 гр.С до 200 гр.С пробивна напруга зменшується до 350 В. Для зменшення струмів витоку і збільшення пробивної напруги діодів необхідно забезпечити питомий опір зазистного шару SiC не менше 10 у восьмому степені Ом.см.

Опис продукції

Технологічні схеми виготовлення меза-структур кремнієвих високовольтних НВЧ pіn діодів з захисним покриттям, які працюють в діапазоні теператур 20-200 гр.С. Проведено дослідження параметрыв ВАХ та ВФХ меза-структур кремнієвих високовольтних НВЧ pіn діодів з товщиною і-області 200 мкм з захищеною поверхнею в діапазоні температур 20-200 гр.С. Показано, що пробивна напруга діодів при температурі 20 гр.С та оберненому струмі 20 мА дорівнює 700 В. Зі збільшенням темепатури від 20 гр.С до 200 гр.С пробивна напруга зменшується до 350 В. Для зменшення струмів витоку і збільшення пробивної напруги діодів необхідно забезпечити питомий опір зазистного шару SiC не менше 10 у восьмому степені Ом.см.

Автори роботи

В,І. Миколаєнко
В.А. Кривуца
В.Г. Ноєнко
Л.М. Суворова
М.С Болтовець
Н.М. Андрієнко
Н.Я. Урицька
О.С. Слєпова
Т.І. Голинна
Т.В. Коростинська
Т.М. Ледєньова

Додано в НРАТ

2020-04-02