1 documents found
Information × Registration Number 0311U012061, 0111U008637 , R & D reports Title Design of sketch engineering specification and chart of production of high stable temperature sensor based on nano structured layers of high resistive silicon carbide. popup.stage_title Розроблення ескізної конструкторської документації та технологічної схеми виготовлення високостабільного сенсора температури на основі наноструктурованих шарів високоомного карбіду кремнію. Head Lichman K, Registration Date 21-12-2011 Organization State Scientific-Reseach Institute "Orion" popup.description2 The draft design plan and specifications of a small-sized high stable temperature sensor on the basis of nano-structured high resistive SiC layers with 2-3 microns thickness are developed. The technological scheme of manufacturing a small-sized high stable chip of temperature sensor on the basis of nano-structured layers of SiC on sapphire is developed. Preliminary investigations of electrical parameters of the sensor developed in temperature range from -196 оС… to +400 оС. Resistance of sensors in the temperature range changes 18-20 times. Product Description popup.authors В.І. Миколаєнко В.А. Кривуца В.Г. Ноєнко К.О. Личман М.С. Блтовець Н.Я. Урицька О.С. Слєпова Т.І. Голинна Т.В. Коростинська popup.nrat_date 2020-04-02 Close
R & D report
Design of sketch engineering specification and chart of production of high stable temperature sensor based on nano structured layers of high resistive silicon carbide.
Head: Lichman K. Design of sketch engineering specification and chart of production of high stable temperature sensor based on nano structured layers of high resistive silicon carbide.. (popup.stage: Розроблення ескізної конструкторської документації та технологічної схеми виготовлення високостабільного сенсора температури на основі наноструктурованих шарів високоомного карбіду кремнію.). State Scientific-Reseach Institute "Orion". № 0311U012061
1 documents found

Updated: 2026-03-21


Роздрукувати цю сторінку