Search academic texts

Information × Registration Number 0312U003242, 0106U011410 , R & D reports Title Radiation effects in semiconductors with isovalent impurities. popup.stage_title Вплив нейтронного опромінення на генерацію радіаційних дефектів в напівпровідниках з різними ізовалентними домішками Head Litovchenko Piotr G., Registration Date 06-03-2012 Organization Scientific Center "Institute for Nuclear Research" of National Academy of Sciences of Ukraine popup.description2 It is shown that introduction of impurity of germanium is in Cz - Si in a concentration 0,7 %, raises the intensity of absorption at 3,9 mkm, twice increases his radiation hardness to formation of divakancy at a neutron irradiation by the fluence of 5·1016 н/см2. Product Description popup.authors Барабаш Людмила Іванівна Бердниченко Світлана Василівна Варенцов Михайло Дмитрович Варніна Валентина Іванівна Воробйов Володимир Герасимович Гайдар Галина Петрівна Гроза Алла Аркадіївна Долголенко Олександр Петрович Дубовий Володимир Костянтинович Кібкало Тетяна Іванівна Карпенко Андрій Якович Кочкін Василій Іванович Ластовецький Володимир Францевич Макуха Олександр Миколайович Марченко Лариса Сергіївна Пінковська Мирослава Богданівна Полівцев Леонід Анлрійович Старчик Маргарита Іванівна Тартачник Володимир Петрович Шматко Галина Григорівна popup.nrat_date 2020-04-02 Close