Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0313U005017, 0112U007416 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення технологій виробництва гетероепітаксіальних квантоворозмірних світлодіодних структур на основі InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії з металоорганічних сполук з енергетичною ефективністю більш як 60 Лм/Вт Назва етапу роботи Розроблення технологій виробництва гетероепітаксіальних квантоворозмірних світлодіодних структур на основі InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії з металоорганічних сполук з енергетичною ефективністю більш як 60 Лм/Вт Керівник роботи Круковський Семен Іванович, Дата реєстрації 25-01-2013 Організація виконавець Публічне акціонерне товариство "Науково-виробничий концерн "Наука" Опис етапу Розроблені основи технології виготовлення гетероструктур для світлодіодів, що містять епітаксійні шари GaN і шари твердих розчинів InXGa1-XN і AlXGa1-XN методом газофазної епітаксії з металоорганічних сполук зокрема, оптимізовані технологічні режими легування активної області та кристалізації твердих розчинів Inх1Ga1-х1N/Inх2Ga1-х2N з мінімальними флуктуаціями індію на гетерограницях. Розроблені технологічні режими вирощування шарів світлодіодних гетероструктур дозволили отримати випромінювальні характеристики при вимірах на пластині, такі, як зовнішній квантовий вихід випромінювання, світловий потік, довжина хвилі випромінювання в максимумі спектру 470±5 нм. Оптимізована конструкція активної області випромінюючих структур з оптимальним трапецієвидним профілем розподілу індію в квантових ямах InXGa1-ХN. Визначені оптимальні значення температури і складу атмосфери при постростовій термообробці гетероструктур. Виявлено, що критичною умовою для забезпечення стійкості гетероепітаксійного росту є наявність вакуумної щільності газової схеми. Опис продукції Розроблено технологічний процес формування світлодіодних структур AlGaN/InGaN/GaN/Al2O3, з активною областю на основі твердих розчинів Inх1Ga1-х1N/Inх2Ga1-х2N з мінімальними флуктуаціями індію на гетерограницях, що в сукупності забезпечує формування активної області світлодіодної структури з найменшим ступенем компенсації та істотно підвищує її енергетичну ефективність. Автори роботи Круковський Р.С. Круковський С.І. Михащук Ю.М. Мрихін І.О. Парфенюк П.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити