Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0315U005017, 0114U005599 , Науково-дослідна робота Назва роботи Відпрацювання техпроцесів виготовлення активних елементів джерел НВЧ-випромінювання на основі GaN епітаксійних структур n+-n-n+ типу Назва етапу роботи Відпрацювання техпроцесів виготовлення активних елементів джерел НВЧ - випромінювання на основі GaN епітаксійних структур n+-n-n+ типу Керівник роботи Болтовець М. С., Дата реєстрації 02-02-2015 Організація виконавець Державне підприємство Науково-дослідний інститут "Оріон" Опис етапу Розроблена технологічна схема виготовлення GaN чіпів активних елементів n+-n-n+ типа на високолегованій підкладинці 4HSiC. Відпрацьовані технологічні процеси виготовлення GaN чіпів активних елементів n+-n-n+ типа на високолегованій підкладинці 4HSiC. Проведені комплексні дослідження омічних контактів Au-Ti та Au-Ti-Al-Ti до епітаксійних шарів n+-GaN. Досліджені температурні залежності питомого контактного опору омічних контактів в діапазоні температур від 4,2 до 300 К. . Проведені дослідження експериментальних зразків чіпів активних елементів на постійному струмі та в імпульсному режимі. Опис продукції Технологічна документація виготовлення чипів активних елементів n+-n-n+ типу на основі епітаксіальних структур GaN на високолегірованій підложці Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити