Реєстраційний номер
0400U002676, Кандидатська дисертація
На здобуття
к.ф.-м.н.
Дата захисту
29-09-2000
Статус
Захищена
Назва роботи
Вплив внутрішніх меж наногетеросистем на електронні та екситонні стани.
Здобувач
Кубай Роман Юрійович,
Керівник Бойчук Василь Іванович
Опонент Покутній Сергій Іванович
Опонент Головацький Володимир Анатолійович
Установа, організація, у вченій раді якої відбудеться/відбувся захист
Чернівецький державний університет ім. Ю. Федьковича
Опис
Об'єкт дослідження. Кристали різної симетрії та розмірності. Мета дослідження. Знаходження потенціальної енергії взаємодії квазічастинок з межами поділу середовищ у багатошарових гетероструктурах. Методи дослідження. Розвязання рівнянь Пуасона, Лапласа, Шредінгера. Теоретичні і практичні результати, новизна. Вперше знайдено потенціал сил електростатичних зображень для багатошарових сферичних структур. Розраховано і проаналізовано його залежність від розмірів кристалу. Вперше в рамках моделі перехідного шару, в якому діелектрична проникність являється неперервною функцією координати, знайдена потенціальна енергія взаємодії квазічастинок з межами поділу для багатошарових ситем. Розраховано і проаналізовано її залежності від товщини перехідних шарів та вибору різних пробних функцій. Вперше досліджено вплив перехідних шарів на електронні та екситонні спектри у багатошарових гетероструктурах. Ступінь впровадження. Результати можуть використовуватися в Інституті фізики напівпровідників НАН України, Чернівець кому національному університеті ім. Ю.Федьковича при дослідженні електронних, екситонних, фононних спектрів. Сфера впровадження. Напівпровідникова електроніка
Дата реєстрації
2000-10-30
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-05 / 2026-06-30
