Search academic texts

Information × Registration Number 0400U002703, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 23-10-2000 popup.evolution o Title Extreme currents in semiconductor structures Author Ishchuk Larysa Vadymovna, popup.head Добровольський Валентин Миколайович popup.opponent Назаров Олексій Миколайович popup.opponent Зинець Олег Сергійович Description Досліджено новий тип осциляцій струму, що виникає при протіканні струму екстремально великої густини в структурах "кремній на ізоляторі" і запропоновано механізм їх виникнення. Вони взаємопов'язані з осциляціми температури кристалічної гратки. Температура гратки змінювалась від 700 до 1300 К з частотою до 3 МГц. Вперше спостерігався зворотний амбіполярний дрейф електронно-діркових пар у кремнії. Досліджено необоротні зміни плівок легованого оловом оксиду індію при протіканні в них току великої густини. Сфера застосування - фундаментальна фізика, мікроелектроніка. Registration Date 2000-10-23 popup.nrat_date 2020-04-04 Close