Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0400U003229, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 17-11-2000 Статус Запланована Назва роботи Розробка фізико-технологічних основ отримання плівок сульфіду самарию для тензорезисторів і дослідження їх параметрів Здобувач Ханова Ганна Владиславівна, Керівник Свєчніков С.В. Опонент Романюк Б.М. Опонент Морозовський М.В. Опис Хімічним методом розпаду хелатних сіркумістячих метало-органічних сполук із синтезованих та досліджених dtc-комплексів самарію отримано полікристалічні текстуровані плівки ряду сульфіду самарію. Визначено умови для отримання плівок моносульфіду самарію кубічної модифікації, а також умови, які забеспечують відтворюване отримання вакуумною технологією плівок SmS з високою тензочутливістю. Досліджено рекомбінаційні параметри і механізми струмпроходження в тонкоплівкових структурах моносульфіду самарію, а також вплив матеріалу контактів на властивості цих структур. Визначено метрологічні характеристики напівпровідникових плівок на основі SmS і сформульовано основні особливості топології напівпровідникових плівок із SmS, показано деякі їх переваги перед металевими фольговими тензорезисторами. Дата реєстрації 2000-11-17 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити
Дисертація кандидатська
Розробка фізико-технологічних основ отримання плівок сульфіду самарию для тензорезисторів і дослідження їх параметрів
Ханова Ганна Владиславівна. Розробка фізико-технологічних основ отримання плівок сульфіду самарию для тензорезисторів і дослідження їх параметрів : к.ф.-м.н. : спец.. 01.04.01 - Фізика приладів, елементів і систем : дата захисту 2000-11-17; Статус: Захищена; Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. – , 0400U003229.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-15


Роздрукувати цю сторінку