Search academic texts

Information × Registration Number 0401U001294, Candidate dissertation Status к.т.н. Date 27-04-2001 popup.evolution o Title Effect of (-radiation and microwave radiation on the GaAs SB-FET parameters. Author Rengevych Oleksij Yevgenovych, popup.head Конакова Р. В popup.opponent Лисенко Володимир Сергійович popup.opponent Семашко Олена Мечиславівна Description Показано, що зміну параметрів малошумливих НВЧ польових транзисторів з бар'єром Шотткі при дії (-радіації Со60 визначають процеси масопереносу в омічних і бар'єрних контактах. У діапазоні доз опромінення 106 ( 2(107 Р, внаслідок радіаційно-стимульованої релаксації внутрішніх механічних напружень в омічних і бар'єрних контактах, спостерігається поліпшення параметрів транзисторів. Дослідження впливу НВЧ випромінювання на параметри ПТШ показали, що зміна характеристик настає навіть при незначних тривалостях обробки. Внаслідок впливу НВЧ випромінювання збільшується висота бар'єра, а фактор ідеальності зменшується. Експериментально отримано, що, аналогічно випадку (-опромінювання, існує діапазон тривалостей обробки, у якому можливе поліпшення параметрів ПТШ. Registration Date 2001-04-27 popup.nrat_date 2020-04-04 Close