Search academic texts

Information × Registration Number 0402U000316, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 18-01-2002 popup.evolution o Title Defect structure transformation in CdHgTe alloys stimulated by pre-threshold ultrasonic loading Author Savkina Rada Kostyantynivna, popup.head Власенко Олександр Іванович popup.opponent Баранський Петро Іванович popup.opponent Лашкарьов Георгій Вадимович Description Дисертація присвячена вивченню впливу акустичних хвиль ультразвукового діапазону частот та допорогової інтенсивності на систему дефектів та властивості вузькозонних твердих розчинів CdхHg1-хTe. На основі дослідження явищ переносу в монокристалах CdхHg1-хTe встановлено, що під впливом ультразвуку відбувається вивільнення зв'язаних в дислокаційні атмосфери дефектів, що приводить до зміни електрофізичних параметрів цього матеріалу. Показано, що ці зміни є нестабільними та релаксують після виключення ультразвуку за кінцевий час від 10 с до 10^3 с. Встановлено, що характер та величина акустостимульованих ефектів в кристалах CdxHg1-xTe залежить від вихідного стану дефектної структури кристалу. Величина акустостимульованої зміни електрофізичних параметрів тим більша, чим ближче частота УЗ хвилі до власної частоти субблочної структури, яка визначається густиною малокутових границь. Виявлено неоднорідне акустостимульоване нагрівання кристалів CdxHg1-xTe. Розраховано розподіл температури та розміри області роз ігріву навколо дислокації. Визначено, що в досліджених зразках реалізується дискретний розподіл лінійних теплових джерел, якими є дислокації. Встановлено критичну величину густини дислокацій, перевищення якої в областях підвищеної дефектності приводить до макроскопічного розігріву останніх та неоднорідного нагрівання реальних кристалів.Показано, що цей ефект може бути базовим для методики неруйнівного контролю ступеня структурної досконалості данного матеріалу. Встановлено, що акустостимульована модифікація умов розсіювання в твердих розчинах CdхHg1-хTe, а саме: збільшення концентрації центрів розсіювання, підвищення ефективності розсіювання на сплавному потенціалі та на оптичних фононах, приводить до зменшення рухливості електронів. Виявлене ж зростання холлівської рухливості під впливом ультразвуку в області низьких температур (Т<120 K) характерне виключно для неоднорідних, структурно недосконалих кристалів CdхHg1-хTe та є наслідком збільшення ефективного об'єму кристалу на рівні протікання за рахунок акуст остимульованого згладження макроскопічного внутрікристалічного потенціалу. Registration Date 2002-01-18 popup.nrat_date 2020-04-04 Close