Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0402U001640, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 23-05-2002 Статус Запланована Назва роботи Дослідження взаємодії вісмуту та водню з поверхнями Si(111) та Si(100) методом скануючої тунельної мікроскопії Здобувач Булавенко Сергій Юрійович, Керівник Мельник Павло Вікентійович Опонент Федорус Олексій Григорович Опонент Клюй Микола Іванович Опис Дисертація присвячена вивченню взаємодії вісмуту та водню з поверхнями Si(111) та Si(100) на атомному рівні з допомогою скануючої тунельної мікроскопії. Побудовано детальну схему фазових змін системи Bi/Si(111)7ґ7 та досліджено структуру кожної з фаз з атомною роздільною здатністю. Розроблено нову методику із застосуванням Bi/W вістер в скануючому тунельному мікроскопові для дослідження раніше недоступних атомів в кутових ямах реконструкції Si(111)7ґ7. Досліджено початкову стадію адсорбції атомарного водню та його перерозподіл на поверхні при прогріві, включаючи його десорбцію з атомів в кутових ямах. Всупереч теоретичним передбаченням, виявилися, що атоми в кутових ямах вдвічі менше активні, ніж адатоми та залишкові атоми. Вивчено коадсорбцію вісмуту та водню на поверхні Si(111)7ґ7. Вперше знайдено існування вісмутових димерів в А-позиціях при початкових стадіях адсорбції вісмуту на поверхні Si(100)2ґ1 при кімнатній температурі. Досліджено рух А-, Б-димерів та їх взаємне перетворення. Знайдено існування нового, антифазного, типу вісмутових нанониток на поверхні Si(100)2ґ1. Вивчено природу дефектів в нанонитках. Дата реєстрації 2002-05-23 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити