Search academic texts

Information × Registration Number 0402U001650, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 17-05-2002 popup.evolution o Title The investigation of the formation mechanisms and physical properties of the semiconductor structures with developed surface Author Sarikov Andrey Victorovich, popup.head Litovchenko Vladimir Grigor'evich popup.opponent Куліш Микола Родіонович popup.opponent Пирятинський Юрій Петрович Description Дисертацію присвячено дослідженню механізмів формування напівпровідникових структур з розвиненою поверхнею, а також їх екситонних та гетерних характеристик. Розроблено нову модель формування пор у кремнії в процесі електрохімічного травлення, яка дозволяє відтворити ряд експериментально спостережених ефектів. Досліджено характер часової еволюції функції розподілу за радіусами нитковидних кристалів кремнію в залежності від лімітуючої стадії їх бічного росту. Показано, що визначальним фактором, що обумовлює експериментально спостережену еволюцію, є термодинамічні процеси вбудовування атомів кремнію в кристал. У рамках методу дослідження екситонних характеристик напівпровідників, що базується на аналізі спектрів люмінесценції, виміряних при одному значенні температури, показано збільшення приблизно в три рази енергії зв'язку екситона в приповерхневій області GaAs, вкритого шаром діелектрика. Показано застосовність даного підходу до дослідження екситонних характеристик нанорозмірних структур кремнію. Запропоновано простий метод визначення зонних та геометричних параметрів останніх. Запропоновано механізми, які обумовлюють ефективне гетерування в структурах мультикристалічний кремній - пористий кремній - шар алюмінію, а також спад цієї ефективності при відпалах при температурах >750-800OC. Registration Date 2002-05-17 popup.nrat_date 2020-04-04 Close