Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0402U002603, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 04-07-2002 Статус Запланована Назва роботи Збудження електронних станів Si, Ge і Mg повільними електронами Здобувач Фейер Віталій Михайлович, Керівник Шпеник О.Б. Опонент Поп С.С. Опонент Яковкін І.М. Опис Об'єкт дослідження: різномодифіковані поверхні монокристалічного p-Si(100), грані (111), (100), (110) монокристалічного Ge, свіжонапиленні й окислені шари Mg. Мета дослідження: встановлення закономірностей пружного і непружного розсіювання повільних моноенергетичних електронів поверхнями p-Si(100), Ge(111), Ge(100), Ge(110) і Mg. Методи дослідження: низькоенергетична електронна спектроскопія. Наукова новизна результатів. Встановлено, що особливості в спектрах втрат енергії і на енергетичних залежностях інтенсивності пружного розсіювання в області < 5 еВ обумовлені збудженням електронних станів p-Si(100), Ge(111), Ge(100), Ge(110) і Mg. Показано вплив модифікації, кристалічної орієнтації і хімічної чистоти поверхні на процеси пружного і непружного розсіювання повільних моноенергетичних електронів. Виявлено нові поверхневі електронні стани для досліджених поверхонь германію з енергіями ~0.18 еВ і ~ 0.25 еВ у забороненій зоні. Ступінь упровадження: планується. Сфера (галузь) використання: мікро- і наноелектроніка. Дата реєстрації 2002-07-04 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити