Search academic texts

Information × Registration Number 0402U002822, Candidate dissertation Status к.т.н. Date 03-07-2002 popup.evolution o Title The growth of doped InSb single crystals and the convection modeling in the melt under ultrasound influence Author Komarov Nikolay Victorovich, popup.head Kozhemyakin G. M. popup.opponent Литвинов Л.А. popup.opponent Кутній В.Є. Description . Об'єкт дослідження - шарувата неоднорідність домишок, що виникає при вирощуванні монокристалів напівпровідникових матеріалів, мета дослідження - в розробці способу зниження шаруватості при вирощуванні монокристалів InSb методом Чохральського, легованих телуром. Методи дослідження: модифікований метод Чохральського; метод хімічного травлення, оптична й електронна мікроскопія; метод "світлового ножа" із застосуванням відеозапису і комп'ютерної обробки результатів експериментів. Теоретичні та практичні результати, новизна: розроблен спосіб вирощування монокристалів напівпровідників в ультразвуковому полі. Показано, що вплів ультразвуку з частотою від 0,6 до 5,0 МГц усуває шаруватість у області "грані". Ступінь упровадження: запропонований спосіб вирощування кристалів застосовано для росту монокристалів GaAs і Bi-Sb. Сфера використання: технологія напівпровідникових матеріалів. Registration Date 2002-07-03 popup.nrat_date 2020-04-04 Close