Search academic texts

Information × Registration Number 0402U003160, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 23-10-2002 popup.evolution o Title Features of piezoresistance in unexposed and exposed to y -rays monocrystals of germanium and silicon. Author Khvyshchun Mykola Vyacheslavovych, popup.head Fedosov Anatolij Vasyl'ovych popup.opponent Бєляєв Олександр Євгенович popup.opponent Хіврич Володимир Ількович Description Визначено для y- опромінених монокристалів германію та кремнію величину зміни енергетичної щілини між рівнями (Ec-0,2)eB і (Ec-0,17)eB та дном с-зони при температурах найбільш повної іонізації рівнів у широкому діапазоні прикладених механічних напружень. Встановлено, що у кристалах германію в області власної провідності для пояснення ходу залежностей Ro=f(X) крім деформаційного переселення носіїв заряду між еквівалентними L-та дельта -долинами та зміни загальної концентрації власних носіїв заряду з тиском необхідно при певних умовах враховувати для напрямів [111] та [100] переходи носіїв заряду між L- та дельта-долинами с-зони. Показано, що при наявності ІВД германію (NGe=5*1018см?3 ) в кристалах кремнію з домішкою фосфору (NP=2*1016см?3 ) не спостерігається із ОПД іонізації електрично активних домішкових станів. Запропоновано метод визначення модулів пружності n-Ge та n-Si, який ґрунтується на вимірюванні поздовжнього п'єзоопору Rox[111]=f(X) (для n-Ge) та Rox[100]=f(X) (для n-Si ). Registration Date 2002-10-23 popup.nrat_date 2020-04-04 Close