Search academic texts

Information × Registration Number 0402U003684, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 20-11-2002 popup.evolution o Title The role of nonequilibrium cerriers of charge in linear transport phenomena in bounded semiconductors Author Meriuts Andri Volodymyrovych, popup.head Bojko B.T. popup.opponent Агєєв Л.О. popup.opponent Кошкін В.М. Description Об'єктом дослідження - нерівноважні носії заряду в напівпровідниках, лінійні по зовнішньому впливу, мета дослідження - побудова теорії лінійних явищ переносу, яка враховує нерівноважні носії заряду, що з'являються при протіканні струму через обмежений напівпровідник. Методи дослідження: система лінійних диференційних рівнянь, які описують процеси переносу в напівпровідниках в лінійному наближенні, та нові граничні умови, які враховують як рекомбінаційні процеси, так і протікання струму через контакт. Теоретичні та практичні результати, новизна: Проведено послідовний опис лінійних явищ переносу i встановлено, що істотну роль у них можуть відігравати процеси рекомбінації нерiвноважних носіїв. Вперше сформульовані повні граничні умови до системи рівнянь неперервності і Пуассона, які враховують рекомбінацію на контакті та протікання струму через контакт. Показано, що при наявності градієнту температури, у лінеарізованому співвідношенні для рекомбінації з'являється доданок, який пов'язаний зі зміною темпутеплової генерації, та пропорційний градієнту температури і не залежить від концентрації нерiвноважних носіїв. Сфера використання: фізика напівпровідників, напівпровідникове приладобудування. Registration Date 2002-11-20 popup.nrat_date 2020-04-04 Close