Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0403U001717, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 23-04-2003 Статус Запланована Назва роботи Зарядовий стан домішки гадолінію і власні дефекти у кристалах телуридів свинцю і олова Здобувач Полигач Євген Олегович, Керівник Заячук Дмитро Михайлович Опонент Корбутяк Дмитро Васильович Опонент Половинко Ігор Іванович Опис Поведінка домішок рідкісноземельних елементів у кристалах багатокомпонентних напівпровідників та їх вплив на властивості останніх. Дослідити фактори, які впливають на зарядовий стан домішки Gd у кристалах Pb1-xSnxTe і можуть змінювати його, а також можливі механізми і результати взаємодії легуючої домішки і системи власних дефектів легованих кристалічних матриць. Електронно-парамагнітний резонанс, мессбауерівська спектроскопія. Вперше експериментально виявлено прямий зв'язок між існуванням зарядового стану Gd3+ домішки гадолінію у кристалах Pb1-xSnxTe<Gd> та їх системою власних дефектів; зниження симетрії локального оточення іонів домішки Gd, які займають вузли металічної підґратки нижче кубічної. Встановлено, що використання легуючої домішки Gd при вирощуванні кристалів Pb1-xSnxTe<Gd> із розплаву приводить до зменшення сумарної концентрації точкових дефектів. Сфера впровадження - напівпровідникове матеріалознавство. Дата реєстрації 2003-04-23 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити